Выпуск 14-нанометровых чипов стартует в 2014 году
// CyberSecurity.ru // — 14-нанометровые чипсеты будут находиться на трехмерной транзисторной архитектуре, такой фирменной технологии Intel Tri-Gate. Как сообщили в компании, 14-нанометровый XM-процесс (eXtreme Mobility) будет использовать свежие транзисторы 3D FiFET, предусматривающие бюджетный расход электрической энергии в мобильных устройства.
В компании рассказывают, что перейдут на 14-нм норму через год после внетредния нормы в 20 нанометров. Стоит отметить, что раньше компании Intel и Taiwan Semiconductor Manufacturing Co (TSMC) объявили, что в том же 2014 году перейдут на выпуск 14-нанометровых чипов.
Архитектура Globalfoundries 14-нм XM содержит комбинацию 14-нанометровых FinFET-транзисторов и технологию бюджетного расхода электрической энергии, которая в первый раз будет проверена на 20-нанометровых чипсетах. В первый раз эти подготовки будут соединены как раз на 14-нанометровых исследованиях.
Роджер Кей, специалист компании Endpoint Технолоджис Associates, говорит, что изначально соединение 14- и 20-нанометровых исследований смотрится непоследовательным, а сама система бюджетного расхода не имеет твердой привязки к объему транзисторов и в основном нацелена на совместные строительные нужды изготовителей. «В первый раз она будет проверена на 20-нанометровых чипсетах, в то время как большая результативность будет достигнута как раз на 14 нанометрах», — говорит Кей.
Что же касается 20-нанометровых чипов, то их образованием Globalfoundries занимается вместе с английской ARM Holdings. Раньше 2 компании работали над оптимизацией микропроцессоров ARM Cortex A, а свежее партнерство организаций увеличивает платформу партнерства и будут выполнять 20-нанометровые микрочипы в соответствии со свежей производственной технологией FinFET.
С собственной стороны ARM предложит сотрудничеству библиотеку Artisan, детали системной логики и памяти, которые послужат прототипом свежих SoC-систем, а GlobalFoundries будет формировать улучшенные физические детали и проверять их мощность на базе грядущих микроядер ARM Cortex.
Кроме этого, новая инициатива будет обхватывать картинную технологию ARM Mali, все более и более активно применяемую в мобильных приборах.
В Globalfoundries рассказывают, что 20-нанометровая система LPM либо Low Power Module вероятно может повысить мощность чипов на 40% при сохранении их физических объемов и энергопотребления на текущих уровнях. По сравнению с текущими 28-нанометровыми чипами, 20-нанометровые подготовки учитывают в два раза не менее крепкое расположение частей чипсета.
В болеее далекой возможности — приблизительно в 2018 году — изготовители рассчитывают начать выпуск 10-нанометровых чипов, которые будут изготавливаться из 450-миллиметровых кремниевых подложек.
Первые партии 450-миллиметровых подложек компании хотят начать выполнять в 2016-17 гг., когда главной изготовитель аналогичного оснащения, организация ASML Holdings, в 2015 году начнет изготовление нового оснащения.
На данный момент во всем мире действует консорциум Global 450 Consortium, который соединяет чипмейкеров, рассчитывающих переход на свежие технические нормы, сопряженные с 450-мм подложками. В настоящее время туда входят компании Intel, «Самсунг», IBM, GlobalFoundries и не так давно туда вошла TSMC. От любой компании туда было нацелено по 20 инженеров для подготовки целых раскладов и преодоления всеобщих отраслевых проблем, сопряженных с переходом.